Generalized Mechanistic Model for the Chemical Vapor Deposition of 2D Transition Metal Dichalcogenide Monolayers.

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作者： Ananth,Govind Rajan ^[1] ; Jamie H,Warner ^[2] ; Daniel,Blankschtein ^[1] ; Michael S,Strano ^[1]

作者单位： Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology , Cambridge, Massachusetts 02139, United States. ^[1] Department of Materials, University of Oxford , Parks Road, Oxford OX1 3PH, United Kingdom. ^[2]

关键词 Kinetic Monte Carlo MoS2 WS2 chemical vapor deposition growth mechanism kinetic model shape transition transition metal dichalcogenide monolayer

DOI 10.1021/acsnano.5b07916

PMID 26937889

发布时间 2017-07-18

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ACS nano

2016年10卷4期

4330-44页

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