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首页> ACS nano> Theoretical Study of Triboelectric-Potential Gated/Driven Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.

Theoretical Study of Triboelectric-Potential Gated/Driven Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.

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第一作者： Wenbo,Peng
第一单位： School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology , Atlanta, Georgia 30332-0245, United States.;School of Electronic and Information Engineering, Xi'an Jiaotong University , Xi'an 710049, China.
作者： Wenbo,Peng [1] ; Ruomeng,Yu [2] ; Yongning,He [3] ; Zhong Lin,Wang [4]
作者单位： School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology , Atlanta, Georgia 30332-0245, United States.;School of Electronic and Information Engineering, Xi'an Jiaotong University , Xi'an 710049, China. [1] School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology , Atlanta, Georgia 30332-0245, United States. [2] School of Electronic and Information Engineering, Xi'an Jiaotong University , Xi'an 710049, China. [3] School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology , Atlanta, Georgia 30332-0245, United States.;Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083, China. [4]
关键词 field-effect transistorself-poweredtriboelectric nanogeneratortribotronics
DOI 10.1021/acsnano.6b00021
PMID 27077327
发布时间 2017-07-19
提交
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ACS nano

ACS nano

2016年10卷4期

4395-402页

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