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首页> Nano letters> Long-Lived Hot Carriers in III-V Nanowires.

Long-Lived Hot Carriers in III-V Nanowires.

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第一作者： D,Tedeschi
第一单位： Dipartimento di Fisica, Sapienza Università di Roma , Piazzale A. Moro 2, 00185 Roma, Italy.
作者： D,Tedeschi [1] ; M,De Luca [1] ; H A,Fonseka [2] ; Q,Gao [2] ; F,Mura [3] ; H H,Tan [2] ; S,Rubini [4] ; F,Martelli [5] ; C,Jagadish [2] ; M,Capizzi [1] ; A,Polimeni [1]
作者单位： Dipartimento di Fisica, Sapienza Università di Roma , Piazzale A. Moro 2, 00185 Roma, Italy. [1] Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University , Canberra, ACT 2601, Australia. [2] Dipartimento di Chimica and Sapienza Nanoscience & Nanotechnology Lab (SNN-LAB), Sapienza Università di Roma , Piazzale A. Moro 2, 00185 Roma, Italy. [3] Istituto Officina dei Materiali CNR , Basovizza SS 14 km 163.5, 34149 Trieste, Italy. [4] Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi CNR , Via del fosso del cavaliere 100, 00133 Roma, Italy. [5]
关键词 InP and GaAs nanowireshot carriersphotoluminescencewurtzitezincblende
DOI 10.1021/acs.nanolett.6b00251
PMID 27104870
发布时间 2020-10-01
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Nano letters

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2016年16卷5期

3085-93页

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