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High sensitivity measurement system for the direct-current, capacitance-voltage, and gate-drain low frequency noise characterization of field effect transistors.

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第一作者： G,Giusi

第一单位： University of Messina, I-98166 Messina, Italy.

作者： G,Giusi ^[1] ; O,Giordano ^[1] ; G,Scandurra ^[1] ; M,Rapisarda ^[2] ; S,Calvi ^[2] ; C,Ciofi ^[1]

作者单位： University of Messina, I-98166 Messina, Italy. ^[1] IMM-CNR, I-00133 Rome, Italy. ^[2]

DOI 10.1063/1.4945263

PMID 27131690

发布时间 2017-12-01

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The Review of scientific instruments

2016年87卷4期

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