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首页> ACS applied materials & interfaces> Controllable Threshold Voltage in Organic Complementary Logic Circuits with an Electron-Trapping Polymer and Photoactive Gate Dielectric Layer.

Controllable Threshold Voltage in Organic Complementary Logic Circuits with an Electron-Trapping Polymer and Photoactive Gate Dielectric Layer.

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第一作者： Toan Thanh,Dao
第一单位： Faculty of Electrical-Electronic Engineering, University of Transport and Communications , No. 3, Cau Giay Street, Dong Da, Hanoi Vietnam.
作者： Toan Thanh,Dao [1] ; Heisuke,Sakai [2] ; Hai Thanh,Nguyen [1] ; Kei,Ohkubo [3] ; Shunichi,Fukuzumi [4] ; Hideyuki,Murata [2]
作者单位： Faculty of Electrical-Electronic Engineering, University of Transport and Communications , No. 3, Cau Giay Street, Dong Da, Hanoi Vietnam. [1] Japan Advanced Institute of Science and Technology , 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan. [2] Division of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka University , Suita, Osaka 565-0871, Japan.;Department of Chemistry and Nano Science, Ewha Womans University , Seoul 120-750, Korea. [3] Department of Chemistry and Nano Science, Ewha Womans University , Seoul 120-750, Korea.;Faculty of Science and Technology, Meijo University, SENTAN, Japan Science and Technology Agency (JST) , Nagoya, Aichi 468-8502, Japan. [4]
关键词 CMOScontrollable threshold voltagelong retention timelow program voltageorganic complementary circuitorganic field-effect transistors
DOI 10.1021/acsami.6b03183
PMID 27348479
发布时间 2018-07-17
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2016年8卷28期

18249-55页

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