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首页> Nano letters> Temperature Dependence of Wavelength Selectable Zero-Phonon Emission from Single Defects in Hexagonal Boron Nitride.

Temperature Dependence of Wavelength Selectable Zero-Phonon Emission from Single Defects in Hexagonal Boron Nitride.

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第一作者： Nicholas R,Jungwirth
第一单位： Cornell University , Ithaca, New York 14853, United States.
作者： Nicholas R,Jungwirth [1] ; Brian,Calderon [1] ; Yanxin,Ji [1] ; Michael G,Spencer [1] ; Michael E,Flatté [2] ; Gregory D,Fuchs [1]
作者单位： Cornell University , Ithaca, New York 14853, United States. [1] University of Iowa , Iowa City, Iowa 52242, United States. [2]
关键词 2D materialSingle-photon sourcehexagonal boron nitrideline widthpoint defectzero-phonon line
DOI 10.1021/acs.nanolett.6b01987
PMID 27580074
发布时间 2020-09-30
提交
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Nano letters

Nano letters

2016年16卷10期

6052-6057页

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