第一单位：
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. houcemmaaoui@gmail.com.;Département de Physique, Faculté des Sciences de Tunis, Université Tunis-El Manar, 2092 Tunis, Tunisia. houcemmaaoui@gmail.com.
作者单位：
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. houcemmaaoui@gmail.com.;Département de Physique, Faculté des Sciences de Tunis, Université Tunis-El Manar, 2092 Tunis, Tunisia. houcemmaaoui@gmail.com.
[1]
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. fteodorescu@icf.ro.
[2]
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. qian1.wang@ed.univ-lille1.fr.
[3]
State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, 3888 Dong Nanhu Road, 130033 Changchun, China. pangh@ciomp.ac.cn.
[4]
Unité Matériaux et transformations (UMET), UMR CNRS 8207, Université Lille1, Cité Scientifique, 59655 Villeneuve d'Ascq, France. ahmed.addad@univ-lille1.fr.
[5]
Département de Physique, Faculté des Sciences de Tunis, Université Tunis-El Manar, 2092 Tunis, Tunisia. radhouane.chtourou@inrst.rnrt.tn.
[6]
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. sabine.szunerits@univ-lille1.fr.
[7]
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS8520, Université Lille 1, Avenue Poincaré-BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq, France. rabah.boukherroub@iemn.univ-lille1.fr.
[8]
DOI
10.3390/s16101720
PMID
27763533
发布时间
2018-11-13
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