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首页> Chemistry, an Asian journal> Upgrading Electroresistive Memory from Binary to Ternary Through Single-Atom Substitution in the Molecular Design.

Upgrading Electroresistive Memory from Binary to Ternary Through Single-Atom Substitution in the Molecular Design.

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作者： Xue-Feng,Cheng ^[1] ; Er-Bo,Shi ^[1] ; Xiang,Hou ^[1] ; Shu-Gang,Xia ^[1] ; Jing-Hui,He ^[1] ; Qing-Feng,Xu ^[1] ; Hua,Li ^[1] ; Na-Jun,Li ^[1] ; Dong-Yun,Chen ^[1] ; Jian-Mei,Lu ^[1]

作者单位： College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology Institution, Soochow University, Suzhou, 215123, P. R. China. ^[1]

关键词 charge trapping resistive random-access memory structure-activity relationships substituent effects thiourea urea

DOI 10.1002/asia.201601317

PMID 27781417

发布时间 2018-01-10

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Chemistry, an Asian journal

Chemistry, an Asian journal

2017年12卷1期

45-51页

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