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Barrier layer induced channeling effect of As ion implantation in HgCdTe and its influences on electrical properties of p-n junctions.

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第一作者： Changzhi,Shi

作者： Changzhi,Shi ; Chun,Lin ; Yanfeng,Wei ; Lu,Chen ; Mingxing,Zhu

DOI 10.1364/AO.55.00D101

PMID 27958428

发布时间 2022-12-23

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Applied optics

2016年55卷34期

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