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首页> ACS applied materials & interfaces> Metal-Free CVD Graphene Synthesis on 200 mm Ge/Si(001) Substrates.

Metal-Free CVD Graphene Synthesis on 200 mm Ge/Si(001) Substrates.

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第一作者： M,Lukosius
第一单位： IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
作者： M,Lukosius [1] ; J,Dabrowski [1] ; J,Kitzmann [1] ; O,Fursenko [1] ; F,Akhtar [1] ; M,Lisker [1] ; G,Lippert [1] ; S,Schulze [1] ; Y,Yamamoto [1] ; M A,Schubert [1] ; H M,Krause [1] ; A,Wolff [1] ; A,Mai [1] ; T,Schroeder [2] ; G,Lupina [1]
作者单位： IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany. [1] IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.;BTU Cottbus-Senftenberg , Konrad Zuse Str. 1, 03046 Cottbus, Germany. [2]
关键词 200 mmCMOSCVDGe(001)ab initio DFTfacetinggraphene synthesisnucleation
DOI 10.1021/acsami.6b11397
PMID 27960421
发布时间 2018-07-18
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ACS applied materials & interfaces

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2016年8卷49期

33786-33793页

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