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    首页> ACS applied materials & interfaces> High Mobility Flexible Amorphous IGZO Thin-Film Transistors with a Low Thermal Budget Ultra-Violet Pulsed Light Process.

    High Mobility Flexible Amorphous IGZO Thin-Film Transistors with a Low Thermal Budget Ultra-Violet Pulsed Light Process.

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    作者： M,Benwadih [1] ; R,Coppard [1] ; K,Bonrad [2] ; A,Klyszcz [2] ; D,Vuillaume [3]
    作者单位： University Grenoble Alpes, CEA , F-38000 Grenoble, France. [1] Merck TU-Darmstadt Laboratories, 64287 Darmstadt, Germany. [2] Institute for Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS , 59652 Villeneuve d'Ascq, France. [3]
    关键词 IGZOUV annealingplastic substratesemiconductorssol?gel
    DOI 10.1021/acsami.6b09990
    PMID 27998139
    发布时间 2019-11-13
    提交
    • 浏览14
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2016年8卷50期

    34513-34519页

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