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首页> ACS applied materials & interfaces> In-Plane Mosaic Potential Growth of Large-Area 2D Layered Semiconductors MoS<sub>2</sub>-MoSe<sub>2</sub> Lateral Heterostructures and Photodetector Application.

In-Plane Mosaic Potential Growth of Large-Area 2D Layered Semiconductors MoS<sub>2</sub>-MoSe<sub>2</sub> Lateral Heterostructures and Photodetector Application.

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第一作者： Xiaoshuang,Chen
第一单位： Key Lab of Microsystem and Microstructure of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China.;Department of Physics, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China.
作者： Xiaoshuang,Chen [1] ; Yunfeng,Qiu [2] ; Huihui,Yang [2] ; Guangbo,Liu [2] ; Wei,Zheng [2] ; Wei,Feng [2] ; Wenwu,Cao [3] ; Wenping,Hu [4] ; PingAn,Hu [2]
作者单位： Key Lab of Microsystem and Microstructure of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China.;Department of Physics, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China. [1] Key Lab of Microsystem and Microstructure of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China. [2] Condensed Matter Science and Technology Institute, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China. [3] Department of Physics, Harbin Institute of Technology , Harbin 150080, China.;Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences , Beijing 100190, China. [4]
关键词 2D materialMoS2/MoSe2lateral heterostructuremosaicphotodetector
DOI 10.1021/acsami.6b13379
PMID 28008759
发布时间 2018-07-30
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2017年9卷2期

1684-1691页

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