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    首页> Journal of research of the National Institute of Standards and Technology> Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications Part I. Simulation Programs.

    Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications Part I. Simulation Programs.

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    第一作者： Jon,Geist
    第一单位： National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899.
    作者： Jon,Geist [1] ; Deane,Chandler-Horowitz [1] ; A M,Robinson [2] ; C R,James [2]
    作者单位： National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899. [1] University of Alberta, Alberta, Canada T6G 2G7. [2]
    关键词 PC-1Dhigh accuracyinternal quantum efficiencyphotodiode modelingsilicon photodiodes
    DOI 10.6028/jres.096.023
    PMID 28184122
    发布时间 2019-11-20
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