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    首页> ACS applied materials & interfaces> High-κ Lanthanum Zirconium Oxide Thin Film Dielectrics from Aqueous Solution Precursors.

    High-κ Lanthanum Zirconium Oxide Thin Film Dielectrics from Aqueous Solution Precursors.

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    作者： Keenan N,Woods [1] ; Tsung-Han,Chiang [2] ; Paul N,Plassmeyer [1] ; Matthew G,Kast [1] ; Alexander C,Lygo [1] ; Aidan K,Grealish [1] ; Shannon W,Boettcher [1] ; Catherine J,Page [1]
    作者单位： Department of Chemistry & Biochemistry and Materials Science Institute, University of Oregon , Eugene, Oregon 97403, United States. [1] School of Electrical Engineering and Computer Science, Oregon State University , Corvallis, Oregon 97331, United States. [2]
    关键词 aqueous solution depositiondielectriclanthanum zirconium oxidespin-coatingthin films
    DOI 10.1021/acsami.7b00915
    PMID 28262013
    发布时间 2018-07-30
    提交
    • 浏览10
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2017年9卷12期

    10897-10903页

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