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    首页> ACS applied materials & interfaces> Improvement of Electrical Characteristics and Stability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Nitrocellulose Passivation Layer.

    Improvement of Electrical Characteristics and Stability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Nitrocellulose Passivation Layer.

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    作者： Kwan Yup,Shin [1] ; Young Jun,Tak [1] ; Won-Gi,Kim [1] ; Seonghwan,Hong [1] ; Hyun Jae,Kim [1]
    作者单位： School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University , 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea. [1]
    关键词 a-IGZOnitrocelluloseoxide semiconductorpassivationthin-film transistors
    DOI 10.1021/acsami.7b00257
    PMID 28299924
    发布时间 2018-07-25
    提交
    • 浏览12
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2017年9卷15期

    13278-13285页

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