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    首页> Nano letters> Atomic Scale Dynamics of Contact Formation in the Cross-Section of InGaAs Nanowire Channels.

    Atomic Scale Dynamics of Contact Formation in the Cross-Section of InGaAs Nanowire Channels.

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    第一作者： Renjie,Chen
    第一单位： Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories , Albuquerque, New Mexico 87185, United States.
    作者： Renjie,Chen [1] ; Katherine L,Jungjohann [1] ; William M,Mook [1] ; John,Nogan ; Shadi A,Dayeh
    作者单位： Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories , Albuquerque, New Mexico 87185, United States. [1]
    关键词 In situ TEMInGaAsamorphizationnanowirenickeliderecrystallization
    DOI 10.1021/acs.nanolett.6b04713
    PMID 28334533
    发布时间 2020-10-01
    提交
    • 浏览9
    Nano letters

    Nano letters

    2017年17卷4期

    2189-2196页

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