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首页> The Journal of chemical physics> Kinetic Monte Carlo simulations of GaN homoepitaxy on c- and m-plane surfaces.

Kinetic Monte Carlo simulations of GaN homoepitaxy on c- and m-plane surfaces.

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第一作者： Dongwei,Xu
第一单位： Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA.
作者： Dongwei,Xu [1] ; Peter,Zapol [1] ; G Brian,Stephenson [1] ; Carol,Thompson [2]
作者单位： Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA. [1] Department of Physics, Northern Illinois University, DeKalb, Illinois 60115, USA. [2]
DOI 10.1063/1.4979843
PMID 28411601
发布时间 2018-06-07
提交
  • 浏览3
The Journal of chemical physics

The Journal of chemical physics

2017年146卷14期

144702页

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