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首页> Ultramicroscopy> Statistical analysis of dislocations and dislocation boundaries from EBSD data.

Statistical analysis of dislocations and dislocation boundaries from EBSD data.

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第一作者： C,Moussa
第一单位： MINES ParisTech, PSL - Research University, CEMEF - Centre de mise en forme des matériaux, CNRS UMR 7635, CS 10207 rue Claude Daunesse 06904 Sophia Antipolis Cedex, France. Electronic address: charbel.moussa@mines-paristech.fr.
作者： C,Moussa [1] ; M,Bernacki [2] ; R,Besnard [3] ; N,Bozzolo [2]
作者单位： MINES ParisTech, PSL - Research University, CEMEF - Centre de mise en forme des matériaux, CNRS UMR 7635, CS 10207 rue Claude Daunesse 06904 Sophia Antipolis Cedex, France. Electronic address: charbel.moussa@mines-paristech.fr. [1] MINES ParisTech, PSL - Research University, CEMEF - Centre de mise en forme des matériaux, CNRS UMR 7635, CS 10207 rue Claude Daunesse 06904 Sophia Antipolis Cedex, France. [2] CEA DAM Valduc, F-21120 IS-sur-Tille, France. [3]
关键词 DislocationsDisorientation GradientElectron BackScatter DiffractionGeometrically Necessary BoundariesIncidental Dislocation BoundariesTantalum
DOI 10.1016/j.ultramic.2017.04.005
PMID 28432905
发布时间 2018-07-23
提交
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Ultramicroscopy

Ultramicroscopy

2017年179卷

63-72页

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