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    首页> ACS applied materials & interfaces> Coupling Two-Dimensional MoTe<sub>2</sub> and InGaZnO Thin-Film Materials for Hybrid PN Junction and CMOS Inverters.

    Coupling Two-Dimensional MoTe<sub>2</sub> and InGaZnO Thin-Film Materials for Hybrid PN Junction and CMOS Inverters.

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    作者： Han Sol,Lee [1] ; Kyunghee,Choi [2] ; Jin Sung,Kim [1] ; Sanghyuck,Yu [1] ; Kyeong Rok,Ko [1] ; Seongil,Im [1]
    作者单位： Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University , 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, South Korea. [1] ICT Materials &amp; Components Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute(ETRI) , 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, 34129, Republic of Korea. [2]
    关键词 2D MoTe2 nanosheetIGZO thin filmPN junction diodecomplementary inverterhybrid device
    DOI 10.1021/acsami.7b02838
    PMID 28436650
    发布时间 2018-07-25
    提交
    • 浏览13
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2017年9卷18期

    15592-15598页

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