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    首页> Nano letters> Polarity Control of Heteroepitaxial GaN Nanowires on Diamond.

    Polarity Control of Heteroepitaxial GaN Nanowires on Diamond.

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    作者： Martin,Hetzl [1] ; Max,Kraut [1] ; Theresa,Hoffmann [1] ; Martin,Stutzmann [1]
    作者单位： Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München , 85748 Garching, Germany. [1]
    关键词 GaNKelvin Probe Force Microscopydiamondheteroepitaxynanowirespolarity
    DOI 10.1021/acs.nanolett.7b00741
    PMID 28535070
    发布时间 2020-09-30
    提交
    • 浏览4
    Nano letters

    Nano letters

    2017年17卷6期

    3582-3590页

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