Tuning Optical Signatures of Single- and Few-Layer MoS<sub>2</sub> by Blown-Bubble Bulge Straining up to Fracture.

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作者： Rui,Yang ^[1] ; Jaesung,Lee ^[1] ; Souvik,Ghosh ^[1] ; Hao,Tang ^[1] ; R Mohan,Sankaran ^[1] ; Christian A,Zorman ^[1] ; Philip X-L,Feng ^[1]

作者单位： Electrical Engineering, ‡Chemical and Biomolecular Engineering, Case School of Engineering, Case Western Reserve University , 10900 Euclid Avenue, Cleveland, Ohio 44106, United States. ^[1]

关键词 2D semiconductors Raman spectroscopy atomic layer MoS2 bulge test photoluminescence (PL)strain tuning

主题词二硫化物类(Disulfides);发光(Luminescence);钼(Molybdenum);纳米结构(Nanostructures);粒子大小(Particle Size);物理学现象(Physical Phenomena);半导体(Semiconductors);光谱分析, 拉曼(Spectrum Analysis, Raman);换能器(Transducers)

DOI 10.1021/acs.nanolett.7b00730

PMID 28628325

发布时间 2020-09-30

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2017年17卷8期

4568-4575页

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