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    首页> Materials (Basel, Switzerland)> A Review on Resistive Switching in High-k Dielectrics: A Nanoscale Point of View Using Conductive Atomic Force Microscope.

    A Review on Resistive Switching in High-k Dielectrics: A Nanoscale Point of View Using Conductive Atomic Force Microscope.

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    作者： Mario,Lanza [1]
    作者单位： Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou 215123, Jiangsu, China. mlanza@suda.edu.cn. [1]
    关键词 CAFMNVMRRAMconductive filamentdielectric breakdownhigh-knanoscaleoxygen vacanciesresistive switching
    DOI 10.3390/ma7032155
    PMID 28788561
    发布时间 2020-10-01
    提交
    • 浏览32
    Materials (Basel, Switzerland)

    Materials (Basel, Switzerland)

    2014年7卷3期

    2155-2182页

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