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Strain measurement of 3D structured nanodevices by EBSD.

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第一作者： William,Osborn

第一单位： Materials Measurement Science Division, NIST, Gaithersburg, MD, United States. Electronic address: william.osborn@nist.gov.

作者： William,Osborn ^[1] ; Lawrence H,Friedman ^[2] ; Mark,Vaudin ^[2]

作者单位： Materials Measurement Science Division, NIST, Gaithersburg, MD, United States. Electronic address: william.osborn@nist.gov. ^[1] Materials Measurement Science Division, NIST, Gaithersburg, MD, United States. ^[2]

关键词 Cross-correlation EBSD Electron backscatter diffraction Nanoscale SiGe Silicon Strain Strain measurement

DOI 10.1016/j.ultramic.2017.08.009

PMID 28863279

发布时间 2025-05-30

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Ultramicroscopy

2018年184卷Pt A期

88-93页

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