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首页> Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids> Ab Initio Studies of the Diffusion of Intrinsic Defects and Silicon Dopants in Bulk InAs.

Ab Initio Studies of the Diffusion of Intrinsic Defects and Silicon Dopants in Bulk InAs.

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第一作者： Mardochee,Reveil
第一单位： Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering and ‡Department of Materials Science and Engineering, Cornell University , Ithaca, New York 14853, United States.
作者： Mardochee,Reveil [1] ; Hsien-Lien,Huang [1] ; Huang-Ta,Chen [1] ; Jason,Liu [1] ; Michael O,Thompson [1] ; Paulette,Clancy [1]
作者单位： Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering and ‡Department of Materials Science and Engineering, Cornell University , Ithaca, New York 14853, United States. [1]
DOI 10.1021/acs.langmuir.7b02669
PMID 28915733
发布时间 2018-07-31
提交
  • 浏览6
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids

Langmuir

2017年33卷42期

11484-11489页

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