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    首页> ACS applied materials & interfaces> Room-Temperature Activation of InGaZnO Thin-Film Transistors via He<sup>+</sup> Irradiation.

    Room-Temperature Activation of InGaZnO Thin-Film Transistors via He<sup>+</sup> Irradiation.

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    作者： Michael G,Stanford [1] ; Joo Hyon,Noh [1] ; Kyle,Mahady [1] ; Anton V,Ievlev [2] ; Peter,Maksymovych [2] ; Olga S,Ovchinnikova [2] ; Philip D,Rack [1]
    作者单位： Department of Materials Science and Engineering, The University of Tennessee , Knoxville, Tennessee 37996, United States. [1] Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory , Oak Ridge, Tennessee 37831, United States. [2]
    关键词 IGZOathermalflexible electronicshelium ionlow-temperature activationtransistors
    DOI 10.1021/acsami.7b10449
    PMID 28933531
    发布时间 2018-07-30
    提交
    • 浏览16
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2017年9卷40期

    35125-35132页

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