医学文献 >>
  • 检索发现
  • 增强检索
知识库 >>
  • 临床诊疗知识库
  • 中医药知识库
评价分析 >>
  • 机构
  • 作者
默认
×
热搜词:
换一批
论文 期刊
取消
高级检索

检索历史 清除

Epitaxial Single-Layer MoS<sub>2</sub> on GaN with Enhanced Valley Helicity.

广告
第一作者: Yi,Wan
第一单位: State Key Lab for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China.
作者: Yi,Wan [1] ; Jun,Xiao [2] ; Jingzhen,Li [1] ; Xin,Fang [1] ; Kun,Zhang [1] ; Lei,Fu [1] ; Pan,Li [1] ; Zhigang,Song [1] ; Hui,Zhang [1] ; Yilun,Wang [1] ; Mervin,Zhao [2] ; Jing,Lu [3] ; Ning,Tang [3] ; Guangzhao,Ran [1] ; Xiang,Zhang [4] ; Yu,Ye [3] ; Lun,Dai [3]
作者单位: State Key Lab for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China. [1] NSF Nanoscale Science and Engineering Center, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA. [2] State Key Lab for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China.;Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, 100871, P. R. China. [3] NSF Nanoscale Science and Engineering Center, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA.;Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA. [4]
DOI 10.1002/adma.201703888
PMID 29265489
发布时间 2020-10-01
提交
  • 浏览9
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

相似文献

  • 中文期刊
  • 外文期刊
  • 学位论文
  • 会议论文

加载中!

加载中!

加载中!

加载中!

法律状态公告日 法律状态 法律状态信息

特别提示:本网站仅提供医学学术资源服务,不销售任何药品和器械,有关药品和器械的销售信息,请查阅其他网站。

  • 客服热线:4000-115-888 转3 (周一至周五:8:00至17:00)

  • |
  • 客服邮箱:yiyao@wanfangdata.com.cn

  • 违法和不良信息举报电话:4000-115-888,举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn,举报专区

官方微信
万方医学小程序
new医文AI 翻译 充值 订阅 收藏 移动端

官方微信

万方医学小程序

使用
帮助
Alternate Text
调查问卷