Tunable Schottky contacts in MSe<sub>2</sub>/NbSe<sub>2</sub> (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors.
第一作者:
Xingshuai,Lv
第一单位:
School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, P. R. China. weiw@sdu.edu.cn daiy60@sdu.edu.cn.
作者:
DOI
10.1039/c7cp07546d
PMID
29296994
发布时间
2018-02-05
- 浏览9

Physical chemistry chemical physics
1897-1903页
相似文献
- 中文期刊
- 外文期刊
- 学位论文
- 会议论文