换一批
换一批Tunable Schottky contacts in MSe<sub>2</sub>/NbSe<sub>2</sub> (M = Mo and W) heterostructures and promising application potential in field-effect transistors.
第一作者：
Xingshuai,Lv
第一单位：
School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, P. R. China. weiw@sdu.edu.cn daiy60@sdu.edu.cn.
作者：
DOI
10.1039/c7cp07546d
PMID
29296994
发布时间
2018-02-05
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Physical chemistry chemical physics
1897-1903页
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