High-Performance All 2D-Layered Tin Disulfide: Graphene Photodetecting Transistors with Thickness-Controlled Interface Dynamics.

导出 LinkOut

翻译打印收藏纠错

第一作者： Ren-Jie,Chang

第一单位： Department of Materials , University of Oxford , Parks Road , Oxford OX1 3PH , U.K.

作者： Ren-Jie,Chang ^[1] ; Haijie,Tan ^[1] ; Xiaochen,Wang ^[1] ; Benjamin,Porter ^[1] ; Tongxin,Chen ^[1] ; Yuewen,Sheng ^[1] ; Yingqiu,Zhou ^[1] ; Hefu,Huang ^[1] ; Harish,Bhaskaran ^[1] ; Jamie H,Warner ^[1]

作者单位： Department of Materials , University of Oxford , Parks Road , Oxford OX1 3PH , U.K. ^[1]

关键词 2D Schottky barrier height SnS2 TMDs graphene photodetectors transistors vertical-layered heterostructures

DOI 10.1021/acsami.8b01038

PMID 29630341

发布时间 2018-07-30

翻译满意度评价：

准确一般字义偏差语意偏离译文作用小提交

浏览9

ACS applied materials & interfaces

2018年10卷15期

13002-13010页

相似文献

中文期刊
外文期刊
学位论文
会议论文

检索历史清除

High-Performance All 2D-Layered Tin Disulfide: Graphene Photodetecting Transistors with Thickness-Controlled Interface Dynamics.

ACS applied materials & interfaces

相似文献

ACS applied materials & interfaces

相关期刊

参考文献：
指定格式：	NoteExpress EndNote RefWorks NoteFirst

检索历史 清除

High-Performance All 2D-Layered Tin Disulfide: Graphene Photodetecting Transistors with Thickness-Controlled Interface Dynamics.

ACS applied materials & interfaces

相似文献

ACS applied materials & interfaces

相关期刊

检索历史清除