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首页> ACS applied materials & interfaces> Low-Voltage Solution-Processed Hybrid Light-Emitting Transistors.

Low-Voltage Solution-Processed Hybrid Light-Emitting Transistors.

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第一作者： Mujeeb Ullah,Chaudhry
第一单位： Department of Engineering , Durham University , Durham DH1 3LE , United Kingdom.
作者： Mujeeb Ullah,Chaudhry [1] ; Kornelius,Tetzner [2] ; Yen-Hung,Lin [3] ; Sungho,Nam [3] ; Christopher,Pearson [1] ; Chris,Groves [1] ; Michael C,Petty [1] ; Thomas D,Anthopoulos [4] ; Donal D C,Bradley [5]
作者单位： Department of Engineering , Durham University , Durham DH1 3LE , United Kingdom. [1] Blackett Laboratory, Department of Physics and Centre for Plastic Electronics , Imperial College London , London SW7 2AZ , United Kingdom. [2] Department of Physics , University of Oxford , Oxford OX1 3PU , United Kingdom. [3] Blackett Laboratory, Department of Physics and Centre for Plastic Electronics , Imperial College London , London SW7 2AZ , United Kingdom.;Physical Science and Engineering Division , King Abdullah University of Science and Technology , Thuwal 23955 , Saudi Arabia. [4] Department of Physics , University of Oxford , Oxford OX1 3PU , United Kingdom.;Department of Engineering Science , University of Oxford , Oxford OX1 3PJ , United Kingdom. [5]
关键词 hybrid transistorslight-emitting transistorslow-voltagemetal oxide high-k dielectricsolution-processed organic semiconductors
DOI 10.1021/acsami.8b06031
PMID 29767502
发布时间 2018-07-30
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2018年10卷22期

18445-18449页

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