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首页> ACS nano> Doping-Free Complementary Logic Gates Enabled by Two-Dimensional Polarity-Controllable Transistors.

Doping-Free Complementary Logic Gates Enabled by Two-Dimensional Polarity-Controllable Transistors.

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第一作者： Giovanni V,Resta
第一单位： Integrated System Laboratory (LSI), School of Engineering , École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) , CH-1015 Lausanne , Switzerland.
作者： Giovanni V,Resta [1] ; Yashwanth,Balaji [2] ; Dennis,Lin [3] ; Iuliana P,Radu [3] ; Francky,Catthoor [2] ; Pierre-Emmanuel,Gaillardon [4] ; Giovanni,De Micheli [1]
作者单位： Integrated System Laboratory (LSI), School of Engineering , École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) , CH-1015 Lausanne , Switzerland. [1] IMEC , Kapeldreef 75 , B-3001 Leuven , Belgium.;KU Leuven , Celestijnenlaan 200D , B-3001 Leuven , Belgium. [2] IMEC , Kapeldreef 75 , B-3001 Leuven , Belgium. [3] Laboratory of NanoIntegrated Systems (LNIS), Department of Electrical and Computer Engineering , University of Utah , Salt Lake City , Utah 84112 , United States. [4]
关键词 WSe2electrostatic dopinglogic gatespolarity controlreconfigurablestandard cell librarytwo-dimensional semiconductor
DOI 10.1021/acsnano.8b02739
PMID 29956911
发布时间 2019-11-20
提交
  • 浏览8
ACS nano

ACS nano

2018年12卷7期

7039-7047页

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