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首页> Nano letters> Large-Area, Ultrathin Metal-Oxide Semiconductor Nanoribbon Arrays Fabricated by Chemical Lift-Off Lithography.

Large-Area, Ultrathin Metal-Oxide Semiconductor Nanoribbon Arrays Fabricated by Chemical Lift-Off Lithography.

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第一作者： Chuanzhen,Zhao
第一单位： California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles , Los Angeles , California 90095 , United States.
作者： Chuanzhen,Zhao [1] ; Xiaobin,Xu [1] ; Sang-Hoon,Bae [1] ; Qing,Yang [1] ; Wenfei,Liu [1] ; Jason N,Belling [1] ; Kevin M,Cheung [1] ; You Seung,Rim [2] ; Yang,Yang [1] ; Anne M,Andrews [3] ; Paul S,Weiss [1]
作者单位： California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles , Los Angeles , California 90095 , United States. [1] California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles , Los Angeles , California 90095 , United States.;School of Intelligent Mechatronics Engineering , Sejong University , Seoul 05006 , Republic of Korea. [2] California NanoSystems Institute, University of California, Los Angeles , Los Angeles , California 90095 , United States.;Department of Psychiatry and Biobehavioral Sciences , Semel Institute for Neuroscience and Human Behavior, and Hatos Center for Neuropharmacology, University of California, Los Angeles , Los Angeles , California 90095 , United States. [3]
关键词 Soft lithographychemical lift-off lithographyfield-effect transistorindium oxidemetal oxide semiconductorsnanoribbon
医学主题词 生物传感技术(Biosensing Techniques);设备设计(Equipment Design);金(Gold);铟(Indium);纳米技术(Nanotechnology);纳米管, 碳(Nanotubes, Carbon);半导体(Semiconductors);二氧化硅(Silicon Dioxide);钛(Titanium)
DOI 10.1021/acs.nanolett.8b02054
PMID 30060654
发布时间 2024-07-14
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Nano letters

Nano letters

2018年18卷9期

5590-5595页

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