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    首页> ACS applied materials & interfaces> Scalable, High-Performance Printed InO <sub>x</sub> Transistors Enabled by Ultraviolet-Annealed Printed High- k AlO <sub>x</sub> Gate Dielectrics.

    Scalable, High-Performance Printed InO <sub>x</sub> Transistors Enabled by Ultraviolet-Annealed Printed High- k AlO <sub>x</sub> Gate Dielectrics.

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    作者： William J,Scheideler ; Matthew W,McPhail ; Rajan,Kumar ; Jeremy,Smith ; Vivek,Subramanian
    关键词 UV-annealingbias-stress stabilityhigh-k dielectricshigh-speed inkjet printingtransparent metal oxide transistors
    DOI 10.1021/acsami.8b12895
    PMID 30298724
    发布时间 2018-11-02
    提交
    • 浏览15
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2018年10卷43期

    37277-37286页

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