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    首页> ACS applied materials & interfaces> Parylene-Based Double-Layer Gate Dielectrics for Organic Field-Effect Transistors.

    Parylene-Based Double-Layer Gate Dielectrics for Organic Field-Effect Transistors.

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    第一作者： Hyunjin,Park
    第一单位： Pohang Accelerator Laboratory , 77 Cheongam-Ro, Nam-Gu , Pohang 37673 , Republic of Korea.
    作者： Hyunjin,Park [1] ; Hyungju,Ahn ; Jimin,Kwon ; Seongju,Kim ; Sungjune,Jung
    作者单位： Pohang Accelerator Laboratory , 77 Cheongam-Ro, Nam-Gu , Pohang 37673 , Republic of Korea. [1]
    关键词 bias stressdouble-layer gate dielectricsorganic field-effect transistorsparylenestability
    DOI 10.1021/acsami.8b12663
    PMID 30358384
    发布时间 2019-11-20
    提交
    • 浏览6
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2018年10卷44期

    37767-37772页

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