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首页> Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)> Large-Area Synthesis of Layered HfS<sub>2(1-</sub><sub>x</sub><sub>)</sub>Se<sub>2</sub><sub>x</sub> Alloys with Fully Tunable Chemical Compositions and Bandgaps.

Large-Area Synthesis of Layered HfS<sub>2(1-</sub><sub>x</sub><sub>)</sub>Se<sub>2</sub><sub>x</sub> Alloys with Fully Tunable Chemical Compositions and Bandgaps.

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作者： Denggui,Wang ^[1] ; Xingwang,Zhang ^[2] ; Gencai,Guo ^[1] ; Shihan,Gao ^[2] ; Xingxing,Li ^[3] ; Junhua,Meng ^[1] ; Zhigang,Yin ^[2] ; Heng,Liu ^[1] ; Menglei,Gao ^[2] ; Likun,Cheng ^[1] ; Jingbi,You ^[2] ; Ruzhi,Wang ^[1]

作者单位： Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China. ^[1] College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China. ^[2] College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, P. R. China. ^[3]

关键词 HfSe2 alloying chemical vapor deposition photodetectors transition metal dichalcogenides

DOI 10.1002/adma.201803285

PMID 30589474

发布时间 2020-10-01

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Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

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2018年30卷44期

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