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首页> Scientific reports> A cryogenic spin-torque memory element with precessional magnetization dynamics.

A cryogenic spin-torque memory element with precessional magnetization dynamics.

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第一作者： G E,Rowlands
第一单位： Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA. graham.rowlands@raytheon.com.
作者： G E,Rowlands [1] ; C A,Ryan [2] ; L,Ye [3] ; L,Rehm [3] ; D,Pinna [3] ; A D,Kent [4] ; T A,Ohki [2]
作者单位： Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA. graham.rowlands@raytheon.com. [1] Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA. [2] Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA. [3] Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA. andy.kent@nyu.edu. [4]
DOI 10.1038/s41598-018-37204-3
PMID 30692580
发布时间 2020-02-25
提交
  • 浏览4
Scientific reports

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2019年9卷1期

803页

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