Integration of LaMnO<sub>3+δ</sub> films on platinized silicon substrates for resistive switching applications by PI-MOCVD.

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作者： Raquel,Rodriguez-Lamas ^[1] ; Dolors,Pla ^[1] ; Odette,Chaix-Pluchery ^[1] ; Benjamin,Meunier ^[1] ; Fabrice,Wilhelm ^[2] ; Andrei,Rogalev ^[2] ; Laetitia,Rapenne ^[1] ; Xavier,Mescot ^[3] ; Quentin,Rafhay ^[3] ; Hervé,Roussel ^[1] ; Michel,Boudard ^[1] ; Carmen,Jiménez ^[1] ; Mónica,Burriel ^[1]

作者单位： Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP (Institute of Engineering Univ. Grenoble Alpes), LMGP, F-38000 Grenoble, France. ^[1] European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), F-38054 Grenoble, France. ^[2] Univ. Grenoble Alpes, CNRS, IMEP-LAHC, F-38000 Grenoble, France. ^[3]

关键词 manganite metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)resistive switching thin film valence-change memory

DOI 10.3762/bjnano.10.38

PMID 30800578

发布时间 2023-10-05

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Beilstein journal of nanotechnology

2019年10卷

389-398页

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