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首页> Materials (Basel, Switzerland)> High-Mobility Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Using Sr-Doped Al₂O₃ Gate Dielectric.

High-Mobility Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Using Sr-Doped Al₂O₃ Gate Dielectric.

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第一作者： Seungbeom,Choi
第一单位： SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea. oyenice@skku.edu.
作者： Seungbeom,Choi [1] ; Kyung-Tae,Kim [2] ; Sung Kyu,Park [3] ; Yong-Hoon,Kim [4]
作者单位： SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea. oyenice@skku.edu. [1] School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, Korea. 4444812@naver.com. [2] School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, Korea. skpark@cau.ac.kr. [3] SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea. yhkim76@skku.edu.;School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea. yhkim76@skku.edu. [4]
关键词 high mobilityhigh-k dielectricinkjet printingmetal-oxide semiconductorsthin-film transistors
DOI 10.3390/ma12060852
PMID 30871272
发布时间 2020-10-01
提交
  • 浏览18
Materials (Basel, Switzerland)

Materials (Basel, Switzerland)

2019年12卷6期

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