Fermi level tuning of Ag-doped Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> topological insulator.

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作者： Eri,Uesugi ^[1] ; Takaki,Uchiyama ^[1] ; Hidenori,Goto ^[1] ; Hiromi,Ota ^[2] ; Teppei,Ueno ^[1] ; Hirokazu,Fujiwara ^[1] ; Kensei,Terashima ^[1] ; Takayoshi,Yokoya ^[1] ; Fumihiko,Matsui ^[3] ; Jun,Akimitsu ^[1] ; Kaya,Kobayashi ^[1] ; Yoshihiro,Kubozono ^[4]

作者单位： Research Institute for Interdisciplinary Science, Okayama University, Okayama, 700-8530, Japan. ^[1] Advanced Science Research Centre, Okayama University, Okayama, 700-8530, Japan. ^[2] Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, 630-0192, Japan. ^[3] Research Institute for Interdisciplinary Science, Okayama University, Okayama, 700-8530, Japan. kubozono@cc.okayama-u.ac.jp. ^[4]

DOI 10.1038/s41598-019-41906-7

PMID 30926890

发布时间 2021-01-09

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2019年9卷1期

5376页

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