Carrier profiling with fast Fourier transform scanning spreading resistance microscopy: A case study for Ge, GaAs, InGaAs, and InP.

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第一作者： Oberon,Dixon-Luinenburg

第一单位： imec, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium.

作者： Oberon,Dixon-Luinenburg ^[1] ; Umberto,Celano ^[1] ; Wilfried,Vandervorst ^[2] ; Kristof,Paredis ^[3]

作者单位： imec, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium. ^[1] imec, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium; Instituut voor Kern- en Stralingsfysica, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium. ^[2] imec, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium. Electronic address: kristof.paredis@imec.be. ^[3]

关键词 Carrier profiling Dopant profiling GaAs Ge III-V InGaAs InP SPM SSRM Scanning spreading resistance microscopy

DOI 10.1016/j.ultramic.2019.06.009

PMID 31301608

发布时间 2020-03-04

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Ultramicroscopy

2019年206卷

112809页

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