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    首页> ACS applied materials & interfaces> Two-Dimensional WSe<sub>2</sub>/Organic Acceptor Hybrid Nonvolatile Memory Devices Based on Interface Charge Trapping.

    Two-Dimensional WSe<sub>2</sub>/Organic Acceptor Hybrid Nonvolatile Memory Devices Based on Interface Charge Trapping.

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    作者： Haining,Liu [1] ; Menghua,Cui [2] ; Chunhe,Dang [1] ; Wen,Wen [2] ; Xinsheng,Wang [1] ; Liming,Xie [2]
    作者单位： CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, CAS Center for Excellence in Nanoscience , National Center for Nanoscience and Technology , Beijing 100190 , P. R. China. [1] University of Chinese Academy of Sciences , Beijing 100049 , P. R. China. [2]
    关键词 WSeelectron acceptorinterface charge transfernonvolatile memorytwo-dimensional material
    DOI 10.1021/acsami.9b11998
    PMID 31448585
    发布时间 2019-09-30
    提交
    • 浏览4
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2019年11卷37期

    34424-34429页

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