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    首页> ACS applied materials & interfaces> High-Performance WSe<sub>2</sub> Photodetector Based on a Laser-Induced p-n Junction.

    High-Performance WSe<sub>2</sub> Photodetector Based on a Laser-Induced p-n Junction.

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    作者： Jing,Chen ; Qiyuan,Wang ; Yaochen,Sheng ; Gaoqi,Cao ; Peng,Yang ; Yabing,Shan ; Fuyou,Liao ; Zaheer,Muhammad ; Wenzhong,Bao ; Laigui,Hu ; Ran,Liu ; Chunxiao,Cong ; Zhi-Jun,Qiu
    关键词 laser dopingoxidation productphotodetectorp?n junctiontungsten diselenide
    DOI 10.1021/acsami.9b13948
    PMID 31659890
    发布时间 2019-11-21
    提交
    • 浏览4
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2019年11卷46期

    43330-43336页

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