Investigation of the Young's Modulus and the Residual Stress of 4H-SiC Circular Membranes on 4H-SiC Substrates.

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作者： Jaweb,Ben Messaoud ^[1] ; Jean-François,Michaud ^[1] ; Dominique,Certon ^[1] ; Massimo,Camarda ^[2] ; Nicolò,Piluso ^[3] ; Laurent,Colin ^[1] ; Flavien,Barcella ^[1] ; Daniel,Alquier ^[1]

作者单位： GREMAN UMR-CNRS 7347, Université de Tours, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France. ^[1] Paul Scherrer Institute, ODRA/116, 5232 Villigen, Switzerland. ^[2] STMicroelectronics, Stradale Primosole, 50, 95121 Catania, Italy. ^[3]

关键词 4H-SiC FEM Young’s modulus bulge test bulk micromachining circular membrane electrochemical etching mechanical properties residual stress vibrometry

DOI 10.3390/mi10120801

PMID 31766525

发布时间 2020-09-28

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2019年10卷12期

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