Realization of Epitaxial NbP and TaP Weyl Semimetal Thin Films.

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第一作者： Amilcar,Bedoya-Pinto

第一单位： Max Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle (Saale), Germany.

作者： Amilcar,Bedoya-Pinto ^[1] ; Avanindra Kumar,Pandeya ^[1] ; Defa,Liu ^[1] ; Hakan,Deniz ^[1] ; Kai,Chang ^[1] ; Hengxin,Tan ^[1] ; Hyeon,Han ^[1] ; Jagannath,Jena ^[1] ; Ilya,Kostanovskiy ^[1] ; Stuart S P,Parkin ^[1]

作者单位： Max Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle (Saale), Germany. ^[1]

关键词 molecular beam epitaxy transition metal monopnictides type-I weyl semimetals weyl semimetal thin films weyltronics

DOI 10.1021/acsnano.9b09997

PMID 32053338

发布时间 2023-11-11

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ACS nano

2020年14卷4期

4405-4413页

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