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    首页> ACS applied materials & interfaces> Back-End, CMOS-Compatible Ferroelectric Field-Effect Transistor for Synaptic Weights.

    Back-End, CMOS-Compatible Ferroelectric Field-Effect Transistor for Synaptic Weights.

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    作者： Mattia,Halter [1] ; Laura,Bégon-Lours [2] ; Valeria,Bragaglia [1] ; Marilyne,Sousa [1] ; Bert Jan,Offrein [1] ; Stefan,Abel [1] ; Mathieu,Luisier [1] ; Jean,Fompeyrine [2]
    作者单位： IBM Research GmbH-Zurich Research Laboratory, CH-8803 Rüschlikon, Switzerland. [1] Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, CH-8092 Zurich, Switzerland. [2]
    关键词 BEOLferroelectric field-effect transistorferroelectric switchinghafnium zirconium oxidememristortungsten oxide
    DOI 10.1021/acsami.0c00877
    PMID 32192333
    发布时间 2020-04-16
    提交
    • 浏览2
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2020年12卷15期

    17725-17732页

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