Fabrication of Ultra-High Aspect Ratio (>420:1) Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Nanotube Arraysby Sidewall TransferMetal Assistant Chemical Etching.

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第一作者： Hailiang,Li

第一单位： Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.

作者： Hailiang,Li ^[1] ; Changqing,Xie ^[1]

作者单位： Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China. ^[1]

关键词 Al2O3 nanotube anisotropic dry etching atomic layer deposition gold (Au) metal assisted chemical etching ultra-high aspect ratio

DOI 10.3390/mi11040378

PMID 32260150

发布时间 2024-03-28

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2020年11卷4期

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