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首页> ACS applied materials & interfaces> Improved Figure of Merit of Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub> via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering.

Improved Figure of Merit of Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub> via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering.

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作者： Hongwei,Ming ^[1] ; Chen,Zhu ^[2] ; Xiaoying,Qin ^[1] ; Jian,Zhang ^[2] ; Di,Li ^[1] ; Baoli,Zhang ^[1] ; Tao,Chen ^[1] ; Jimin,Li ^[1] ; Xunuo,Lou ^[1] ; Hongxin,Xin ^[2]

作者单位： Key Laboratory of Material Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, 230031 Hefei, PR China. ^[1] University of Science and Technology of China, 230026 Hefei, PR China. ^[2] MIT Key Laboratory of Advanced Metalic and Intermetallic Materials Technology, Nanjing University of Science and Technology, 210094 Nanjing, PR China. ^[3]

关键词 Cu2SnSe3 band structure modification energy dependent carrier scattering thermal conductivity thermoelectric properties

DOI 10.1021/acsami.0c04298

PMID 32286782

发布时间 2020-04-29

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2020年12卷17期

19693-19700页

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