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首页> Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal> Tuning the Schottky barrier height in graphene/monolayer-GeI<sub>2</sub>van der Waals heterostructure.

Tuning the Schottky barrier height in graphene/monolayer-GeI<sub>2</sub>van der Waals heterostructure.

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第一作者： D P,de Andrade Deus
第一单位： Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Goiás, Departamento de Áreas Acadêmicas, Campus Jataí, 775 Orminda Vieira de Freitas, Jataí, GO, Brazil.
作者： D P,de Andrade Deus [1] ; I S S,de Oliveira [2]
作者单位： Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Goiás, Departamento de Áreas Acadêmicas, Campus Jataí, 775 Orminda Vieira de Freitas, Jataí, GO, Brazil. [1] Departamento de Física, Universidade Federal de Lavras, C.P. 3037, 37200-000, Lavras, MG, Brazil. [2]
关键词 2D materialsSchottky contactelectronic structurefirst principlesheterostructure
DOI 10.1088/1361-648X/ab8bf8
PMID 32320968
发布时间 2025-12-13
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  • 浏览27
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal

Journal of physics. Condensed matter

2020年32卷35期

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