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    首页> ACS nano> 2-D Materials for Ultrascaled Field-Effect Transistors: One Hundred Candidates under the <i>Ab Initio</i> Microscope.

    2-D Materials for Ultrascaled Field-Effect Transistors: One Hundred Candidates under the <i>Ab Initio</i> Microscope.

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    作者： Cedric,Klinkert [1] ; Áron,Szabó [1] ; Christian,Stieger [1] ; Davide,Campi [2] ; Nicola,Marzari [2] ; Mathieu,Luisier [1]
    作者单位： Integrated System Laboratory, ETH Zurich, CH-8092 Zurich, Switzerland. [1] Theory and Simulation of Materials (THEOS) and National Centre for Computational Design and Discovery of Novel Materials (MARVEL), École Polytechnique Fédérale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland. [2]
    关键词 2-D materialsab initio device simulationmaterials and device parametersnext-generation field-effect transistorsperformance comparison
    DOI 10.1021/acsnano.0c02983
    PMID 32530608
    发布时间 2020-08-18
    提交
    • 浏览1
    ACS nano

    ACS nano

    2020年14卷7期

    8605-8615页

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