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    首页> ACS applied materials & interfaces> Atomic Layer Epitaxy of III-Nitrides: A Microscopic Model of Homoepitaxial Growth.

    Atomic Layer Epitaxy of III-Nitrides: A Microscopic Model of Homoepitaxial Growth.

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    作者： Steven C,Erwin [1] ; John L,Lyons [1]
    作者单位： Center for Computational Materials Science, Naval Research Laboratory, Washington, District of Columbia 20375, United States. [1]
    关键词 aluminum nitrideatomic layer epitaxy (ALE)gallium nitrideindium nitridekinetic Monte Carlo (kMC)nitride film growth
    DOI 10.1021/acsami.0c14622
    PMID 33064455
    发布时间 2020-10-29
    提交
    • 浏览2
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2020年12卷43期

    49245-49251页

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