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首页> ACS nano> Scalable Integration of Coplanar Heterojunction Monolithic Devices on Two-Dimensional In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>.

Scalable Integration of Coplanar Heterojunction Monolithic Devices on Two-Dimensional In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>.

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第一作者： Subhrajit,Mukherjee
第一单位： Nanoscale Electronic Materials and Devices Laboratory, Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa, 3200003, Israel.
作者： Subhrajit,Mukherjee [1] ; Debopriya,Dutta [1] ; Pranab K,Mohapatra [2] ; Lital,Dezanashvili [2] ; Ariel,Ismach [2] ; Elad,Koren [1]
作者单位： Nanoscale Electronic Materials and Devices Laboratory, Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa, 3200003, Israel. [1] Department of Materials Science and Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, Tel Aviv, 6997801, Israel. [2]
关键词 In2Se3Kelvin probe microscopyRaman/PL mappingatomically thin ICscoplanar p?n heterojunctionlight-induced conversionphototransistor
DOI 10.1021/acsnano.0c08146
PMID 33210905
发布时间 2022-11-09
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ACS nano

ACS nano

2020年14卷12期

17543-17553页

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